功率器件 基于先进的器件芯片设计及封装技术、严苛的生产质量管控,紫光同芯打造了品类齐全的器件产品矩阵,拥有SGT MOS(屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管)、SJ MOS(超结金属氧化物场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)等产品。其中,SGT MOS电压覆盖范围为30V-250V,SJ MOS电压覆盖范围为500V-1200V,IGBT电压覆盖范围为650V-1200V。该系列产品覆盖行业内主流的封装形式,适用于汽车电子、光伏、工控、消费等领域,能够满足客户多方位的需求。

产品列表

/ PRODUCT LIST
Products
Certifications
Packages
Polarity
BVdss(V)
ID(A)
VTH(V)min
VTH(V)max
Rdson(Ω)
Vgs=10V typ
Rdson(Ω)
Vgs=10V max
TPW65R035DFDL
E
TO-247
0
650
80
3
5
33
35
TPW65R028DFDL
E
TO-247
0
650
80
3
5
28
30
TPW65R026DFDL
E
TO-247
0
650
80
3
5
26
28
TPW65R022DFDL
E
TO-247
0
650
100
3
5
20
22
TPZ65R015DFD
E
SOT-227B
0
650
160
2.5
4.5
15.6
18
TPA60R600MFD
M
TO-220F
0
600
7
3
5
570
600
TPD60R600MFD
M
TO-252
0
600
7
3
5
530
600
TPA60R530M
M
TO-220F
0
600
7
2.5
4.5
470
530
TPR60R530M
M
TO-220FP-NL
0
600
7
2.5
4.5
470
530
TPU60R530M
M
TO-251
0
600
7
2.5
4.5
470
530
TPD60R530M
M
TO-252
0
600
7
2.5
4.5
470
530
TPD60R360MFD
M
TO-252
0
600
11
3
5
320
360
TPA60R350C
M
TO-220F
0
600
11
2.5
4.5
300
350
TPD60R350C
M
TO-252
0
600
11
2.5
4.5
300
350
TPA60R330M
M
TO-220F
0
600
11
2.5
4.5
290
330
TPR60R330M
M
TO-220FP-NL
0
600
11
2.5
4.5
290
330
TPU60R330M
M
TO-251
0
600
11
2.5
4.5
290
330
TPD60R330M
M
TO-252
0
600
11
2.5
4.5
290
330
TPA60R280N
Q
TO-220F
0
600
14
2.5
4.5
240
280
TPA60R280D
M
TO-220F
0
600
15
2.5
4.5
230
280
  • 1
1
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