功率器件 基于先进的器件芯片设计及封装技术、严苛的生产质量管控,紫光同芯打造了品类齐全的器件产品矩阵,拥有SGT MOS(屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管)、SJ MOS(超结金属氧化物场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)等产品。其中,SGT MOS电压覆盖范围为30V-250V,SJ MOS电压覆盖范围为500V-1200V,IGBT电压覆盖范围为650V-1200V。该系列产品覆盖行业内主流的封装形式,适用于汽车电子、光伏、工控、消费等领域,能够满足客户多方位的需求。

产品列表

/ PRODUCT LIST
Products
Certifications
Packages
Polarity
BVdss(V)
ID(A)
VTH(V)min
VTH(V)max
Rdson(Ω)
Vgs=10V typ
Rdson(Ω)
Vgs=10V max
TPB60R090MFD
M
TO-263
0
600
47
3
5
80
90
TPA60R080M
M
TO-220F
0
600
47
2.5
4.5
73
80
TPW60R080M
M
TO-247
0
600
47
2.5
4.5
73
80
TPV60R080M
M
TO-3PN
0
600
47
2.5
4.5
73
80
TPW60R080CFD
M
TO-247
0
600
47
2.5
4.5
65
80
TPG60R070DFDH
M
DFN8*8
0
600
45
2.5
4
60
70
TPA60R070DFD
M
TO-220F
0
600
45
2.5
4.5
60
70
TPW60R070DFD
M
TO-247
0
600
45
2.5
4.5
60
70
TPW60R040MFD
M
TO-247
0
600
72
3
5
35
40
TPW60R032DFDL
E
TO-247
0
600
80
3
5
30
32
TPW60R028DFD
M
TO-247
0
600
80
2.5
4.5
28
30
TPW60R026DFDL
E
TO-247
0
600
80
3
5
24
26
TPW60R020DFDL
E
TO-247
0
600
100
3
5
18
20
TPA55R065DFD
M
TO-220F
0
550
45
2.5
4.5
51
60
TPD50R400C
M
TO-252
0
500
7
2.5
4
360
400
TPA50R250C
M
TO-220F
0
500
11
2.5
4
220
250
TPP50R120C
M
TO-220
0
500
20
2.5
4
100
120
TPA50R120C
M
TO-220F
0
500
20
2.5
4
110
120
TPB120R800AP
M
TO-263
0
1200
12
2.5
4.5
680
800
TPA120R800AP
M
TO-220F
0
1200
12
2.5
4.5
680
800
  • 1
1
紫光同芯微电子有限公司
  • 地址:北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园·北领地B-1楼一层106A
  • 联系电话:010-82351818-310
  • 邮政编码:100192
技术支持
关注我们
关注我们